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IGBT的主要参数：集电极电流ICM：表征IGBT的电流容量，分为直流条件下的IC和1ms脉冲条件下的ICP。集电极-发射极电压UCES：表征IGBT集电极-发射极的耐压能力。目前IGBT耐压等级有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。栅极-发射极击穿电压UGEM：表征IGBT栅极-发射极之间能承受的电压，其值一般为±20V。栅极-发射极开启电压UGE（th）：指IGBT器件在一定的集电极-发射极电压UCE下，流过一定的集电极电流IC时的最小开栅电压。当栅源电压等于开启电压UGE（th）时，IGBT开始导通。输入电容cIES：指IGBT在一定的集电极-发射极电压UCE和栅极-发射极电压UGE=0下，栅极-发射极之间的电容，表征栅极驱动瞬态电流特征。

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